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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
17.7
写入速度,GB/s
8.0
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3772
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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