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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
8.0
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3061
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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Kingston KHX2666C15/8G 8GB
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Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
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