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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905744-027.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
46
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
46
读取速度,GB/s
12.3
19.1
写入速度,GB/s
8.0
15.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3168
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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