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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
7.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
7.6
写入速度,GB/s
8.0
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1827
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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