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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9965640-004.C00G 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
59
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
7.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
4.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
59
读取速度,GB/s
12.3
7.3
写入速度,GB/s
8.0
4.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1421
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
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