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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9965640-006.A01G 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.3
11.0
写入速度,GB/s
8.0
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2220
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
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