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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
18.2
写入速度,GB/s
8.0
14.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3501
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
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