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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KTD3KX-HYA 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 -7% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
42
读取速度,GB/s
12.3
7.4
写入速度,GB/s
8.0
6.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1331
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
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