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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KTP9W1-MID 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston KTP9W1-MID 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3424
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
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