RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

总分
star star star star star
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 6.5
    测试中的平均数值
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB 需要考虑的原因
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 45
    左右 -88% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 13.9
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 6.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1992 left arrow 2197

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB RAM的比较

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
内存RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
内存RAM
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
内存RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
内存RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
内存RAM