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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
8.0
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3083
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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