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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
48
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
48
读取速度,GB/s
12.3
11.0
写入速度,GB/s
8.0
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2235
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
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