RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
42
读取速度,GB/s
12.3
13.3
写入速度,GB/s
8.0
9.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2427
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
报告一个错误
×
Bug description
Source link