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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
45
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
40
读取速度,GB/s
12.3
13.4
写入速度,GB/s
8.0
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2495
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
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Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
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