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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.3
16.8
写入速度,GB/s
8.0
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3239
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
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