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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
45
左右 -5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
43
读取速度,GB/s
12.3
11.6
写入速度,GB/s
8.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2615
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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