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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
50
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
50
读取速度,GB/s
12.3
10.6
写入速度,GB/s
8.0
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2393
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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