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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.3
11.7
写入速度,GB/s
8.0
5.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1771
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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