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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
56
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
56
读取速度,GB/s
12.3
10.1
写入速度,GB/s
8.0
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2307
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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