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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
12.3
15.3
写入速度,GB/s
8.0
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2737
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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