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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
12.3
14.6
写入速度,GB/s
8.0
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2073
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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