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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
12.3
14.6
写入速度,GB/s
8.0
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2073
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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