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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.3
15.1
写入速度,GB/s
8.0
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2620
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
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