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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
45
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
22
读取速度,GB/s
12.3
15.7
写入速度,GB/s
8.0
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2388
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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