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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.3
13.9
写入速度,GB/s
8.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2504
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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