RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

总分
star star star star star
V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
V-GEN D4H16GS24A8 16GB 需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 45
    左右 -96% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.5 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 14.5
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1992 left arrow 2361

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
内存RAM