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Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
比较
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
总分
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
11.7
15.1
写入速度,GB/s
8.5
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1691
2601
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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