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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
12.2
16.4
写入速度,GB/s
7.8
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1763
3155
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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