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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
12.2
18.2
写入速度,GB/s
7.8
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1763
3300
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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