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Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
34
读取速度,GB/s
15.9
15.7
写入速度,GB/s
13.2
11.9
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2927
2803
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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