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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
46
左右 -156% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
18
读取速度,GB/s
14.2
21.1
写入速度,GB/s
13.6
16.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3971
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
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