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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
14.2
17.7
写入速度,GB/s
13.6
15.4
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3550
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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