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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
14.2
17.8
写入速度,GB/s
13.6
14.2
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3171
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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