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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
14.2
10.6
写入速度,GB/s
13.6
8.4
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2503
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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