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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
14.2
20.2
写入速度,GB/s
13.6
16.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3876
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB RAM的比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
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