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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24.7
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.9
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
14.2
24.7
写入速度,GB/s
13.6
19.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
4174
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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