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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
46
左右 -130% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
20
读取速度,GB/s
14.2
19.4
写入速度,GB/s
13.6
15.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3217
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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