RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston 9905701-004.A00G 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
14.2
14.7
写入速度,GB/s
13.6
7.3
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2321
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link