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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
14.2
16.6
写入速度,GB/s
13.6
12.6
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2969
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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