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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
14.2
16.0
写入速度,GB/s
13.6
12.9
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3287
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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