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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
14.2
16.5
写入速度,GB/s
13.6
16.5
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3634
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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