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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
14.2
14.4
写入速度,GB/s
13.6
10.6
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2490
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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