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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
14.2
17.1
写入速度,GB/s
13.6
11.0
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3110
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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