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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
14.2
16.0
写入速度,GB/s
13.6
12.7
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2353
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
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