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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
5.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
46
左右 -2% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
45
读取速度,GB/s
14.2
5.3
写入速度,GB/s
13.6
8.4
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
1535
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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