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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
14.2
14.5
写入速度,GB/s
13.6
9.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2368
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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Kingston XK2M26-MIE 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
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