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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
比较
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
总分
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
101
左右 -130% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
101
44
读取速度,GB/s
14.2
14.9
写入速度,GB/s
7.0
11.6
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1313
2191
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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