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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
比较
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
总分
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
40
读取速度,GB/s
14.7
13.5
写入速度,GB/s
10.6
9.5
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2438
2254
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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最新比较
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Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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