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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
比较
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
总分
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
总分
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
14.7
17.0
写入速度,GB/s
10.6
12.2
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2438
2379
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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