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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
13.8
14.0
写入速度,GB/s
10.1
9.1
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2363
2221
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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