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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
15.8
14.6
写入速度,GB/s
12.4
7.4
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2852
2196
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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